英诺赛科于2015年12月成立，是一家专业从事新型第三代半导体材料、器件以及集成电路开发与制造的高科技公司，在全球首次实现了8英寸硅基氮化镓材料与器件的大规模量产。现有员工1200多人， 全球专利累积超过800项，在珠海设有生产基地，苏州设有研发中心、管理中心及大规模生产基地，深圳设有应用研发中心及销售中心，南京、上海、北京、中国台湾、日本、韩国、欧洲、美国等地设有办事机构或代表处。 英诺赛科掌握 8 英寸硅基氮化镓材料、器件及集成电路设计、制造全产业链核心技术，汇聚各国半导体产业精英人才，打造功率半导体国际一流品牌，并与多家国际技术研发机构开放合作，形成半导体产业跨国创新联盟。 英诺赛科采用IDM (Integrated Device Manufacturer) 全产业链模式，致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。公司的主要产品涵盖从低压到高压（15V-1200V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平，是目前全球唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的企业。公司产品具有小尺寸、高性能、低成本、高可靠性等优势，全面助力消费类电子、智能汽车、数据中心、光伏储能、人工智能等行业或应用领域的高效、节能、绿色发展。 2023 年，英诺赛科以 205 亿元人民币的估值入选 2022 年胡润百富全球独角兽企业榜单， 位列 310 位。 2024 年 6 月，英诺赛科已向香港证券交易所提交上市申请。 2024 年 8 月，英诺赛科累计出货量超过 7 亿颗，是全球氮化镓出货量最大的企业。